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    三星成果登上《Nature》 或引發QLED量子點顯示技術商業新革命!
    發布:lee_9124   時間:2019/11/30 5:45:36   閱讀:4609 
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    量子點發光二極管(QLED)具有出色的發光效率,色純度,可靠性,并且可通過具有成本效益的制造方式實現規?;a,因此是大面板顯示器的理想選擇。
     
    目前,紅光,綠光和藍光QD-LED的效率分別達到了20.5%、21.0%和19.8%,但是這之中的量子點大多含有有毒的鎘成分。而基于磷化銦(InP)的材料和器件的性能仍然遠遠落后于含鎘的同類材料和器件。因此,改善器件的操作穩定性并避免使用有毒的鎘成分,成為了QLED商用的關鍵問題。

     
    有鑒于此,三星先進技術研究院Eunjoo Jang團隊報道了一種尺寸均勻的InP為內核,高度對稱的Core-Shell結構QD的合成方法,其量子產率約為100%。
     
     
     
    圖1. 基于InP的QD-LED性能
     
    要點1. 生長過程
     
    研究人員在初始ZnSe殼的生長過程中添加氫氟酸,以蝕刻掉氧化InP核表面,然后在340 ℃下實現高溫ZnSe的生長。工程化的殼層厚度可抑制能量轉移和俄歇復合,以保持高發光效率,并且初始表面配體被較短的配體取代,以實現更好的電荷注入。
     
     
     
    圖2. QDs制備過程與表征
     
    要點2. 優異發光性能
     
    經過優化的InP/ZnSe/ZnS QD-LED的最大外部量子效率為21.4%,最大亮度為100,000cd m-2,在100 cd m-2的條件下使用壽命長達一百萬小時,該性能可與最新的含鎘QD-LED媲美。
     
     
     
    圖3. 不同InP-QDs光學性能
     
    總之,這項研究發展了一種無鎘量子點的合成策略,并實現了優異的QLED發光性能,這些基于InP的QD-LED有望很快在商業顯示器中使用,并引發新一輪的商用技術革新。 
     

    來源: 納米人
     
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